Ученые научились видеть дефекты в полупроводниках на уровне отдельных атомов
![Ученые научились видеть дефекты в полупроводниках на уровне отдельных атомов](https://www.ferra.ru/imgs/2024/07/04/16/6522932/fabf11428ff5a39154afdfbeb6b99b8973f11be3.jpeg)
Физики из Университета штата Мичиган разработали новый метод анализа материалов, используемый в современных электронных устройствах. Новая методика, описанная в журнале Nature Photonics, объединяет микроскопию высокого разрешения с ультрабыстрыми лазерами. Это позволяет ученым с высокой точностью обнаруживать чужеродные атомы в полупроводниках.
Полупроводники — основа современных электронных устройств, от компьютеров до смартфонов. По мере того, как эти устройства становятся все меньше и сложнее, крайне важно понимать, как именно расположены атомы в материале.
Дефекты, или специально внедренные атомы, играют важную роль в движении электронов внутри полупроводника. Именно поэтому ученым так важно знать их точное расположение. Новая методика сочетает в себе сканирующий туннельный микроскоп (STM) с ультракороткими лазерными импульсами терагерцевой частоты.
Благодаря этой комбинации ученые смогли напрямую наблюдать за поведением дефектных атомов кремния, внедренных в арсенид галлия, который используется в радарах, солнечных батареях и современных телекоммуникационных устройствах.
![](https://www.ferra.ru/imgs/2024/07/04/16/6522920/487003bb09d777e35de1f9954fe9e61a9049cc5e.jpg)