Январь 2010 Февраль 2010 Март 2010 Апрель 2010 Май 2010
Июнь 2010
Июль 2010 Август 2010 Сентябрь 2010
Октябрь 2010
Ноябрь 2010 Декабрь 2010 Январь 2011 Февраль 2011 Март 2011 Апрель 2011 Май 2011 Июнь 2011 Июль 2011 Август 2011
Сентябрь 2011
Октябрь 2011 Ноябрь 2011 Декабрь 2011 Январь 2012 Февраль 2012 Март 2012 Апрель 2012 Май 2012 Июнь 2012 Июль 2012 Август 2012 Сентябрь 2012 Октябрь 2012 Ноябрь 2012 Декабрь 2012 Январь 2013 Февраль 2013 Март 2013 Апрель 2013 Май 2013 Июнь 2013 Июль 2013 Август 2013 Сентябрь 2013 Октябрь 2013 Ноябрь 2013 Декабрь 2013 Январь 2014 Февраль 2014 Март 2014 Апрель 2014 Май 2014 Июнь 2014 Июль 2014 Август 2014 Сентябрь 2014 Октябрь 2014 Ноябрь 2014 Декабрь 2014 Январь 2015 Февраль 2015 Март 2015 Апрель 2015 Май 2015 Июнь 2015 Июль 2015 Август 2015 Сентябрь 2015 Октябрь 2015 Ноябрь 2015 Декабрь 2015 Январь 2016 Февраль 2016 Март 2016 Апрель 2016 Май 2016 Июнь 2016 Июль 2016 Август 2016 Сентябрь 2016 Октябрь 2016 Ноябрь 2016 Декабрь 2016 Январь 2017 Февраль 2017 Март 2017 Апрель 2017
Май 2017
Июнь 2017
Июль 2017
Август 2017 Сентябрь 2017 Октябрь 2017 Ноябрь 2017 Декабрь 2017 Январь 2018 Февраль 2018 Март 2018 Апрель 2018 Май 2018 Июнь 2018 Июль 2018 Август 2018 Сентябрь 2018 Октябрь 2018 Ноябрь 2018 Декабрь 2018 Январь 2019 Февраль 2019 Март 2019 Апрель 2019 Май 2019 Июнь 2019 Июль 2019 Август 2019 Сентябрь 2019 Октябрь 2019 Ноябрь 2019 Декабрь 2019 Январь 2020 Февраль 2020 Март 2020 Апрель 2020 Май 2020 Июнь 2020 Июль 2020 Август 2020 Сентябрь 2020 Октябрь 2020 Ноябрь 2020 Декабрь 2020 Январь 2021 Февраль 2021 Март 2021 Апрель 2021 Май 2021 Июнь 2021 Июль 2021 Август 2021 Сентябрь 2021 Октябрь 2021 Ноябрь 2021 Декабрь 2021 Январь 2022 Февраль 2022 Март 2022 Апрель 2022 Май 2022 Июнь 2022 Июль 2022 Август 2022 Сентябрь 2022 Октябрь 2022 Ноябрь 2022 Декабрь 2022 Январь 2023 Февраль 2023 Март 2023 Апрель 2023 Май 2023 Июнь 2023 Июль 2023 Август 2023 Сентябрь 2023 Октябрь 2023 Ноябрь 2023 Декабрь 2023 Январь 2024 Февраль 2024 Март 2024 Апрель 2024 Май 2024 Июнь 2024 Июль 2024 Август 2024 Сентябрь 2024 Октябрь 2024 Ноябрь 2024 Декабрь 2024
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
Авто |

Ученые ИПМаш РАН создали макет подложек для производства российских транзисторов нового поколения

Ученые Института проблем машиноведения РАН получили грант РНФ по темпе, предложенной компанией АО «Эпиэл». Грант направлен на разработку технологии создания нового типа подложек для будущего производства гетероструктур нитрида галия для эффективных транзисторов со сверхбыстрыми электронами. Ученые ИПМаш РАН работают над созданием подложек, на которых будут получать данные структуры.

 

«Мы начали крупный проект, который был поддержан грантом Российского научного фонда. Его суть состоит в том, что в следующие 3 года мы будем разрабатывать специальные подложки кубического карбида кремния на кремнии для роста транзисторных гетероструктур нитрида галия с высокой подвижностью носителей заряда. Это будет база для создания микроэлектроники нового поколения, которой нет еще нигде в мире», - рассказал руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Сергей Кукушкин.

Инновационный потенциал данной технологии состоит в его основной технологической составляющей – новой прорывной технологии выращивания буферного слоя карбида кремния на кремнии, на основе которого и будут формироваться слои других широкозонных полупроводников на кремнии. Данные подложки отличаются тем, что имеют лучшую согласованность параметров кристаллических решеток и коэффициентов термического расширения подложки и растущих слоев, а также большую износостойкость и меньшую стоимость.

Приборы, сделанные на основе монокристаллических подложек карбида кремния, используются в электромобилестроении, в производстве беспилотных летательных аппаратов, в качестве выпрямителей, переключателей и т.п. На основе этих подложек можно сделать транзисторы, которые могут быть использованы для систем связи поколения 5G, спутниковой связи, навигации и других областей применения. Однако на мировом рынке отсутствуют доступные подложки диаметром более 50,8 мм, что вызвано непреодолимыми технологическими барьерами существующих методов получения объемного кристалла нитрида галлия. Помочь в этом могут буферные структуры, которые будут выращены на основе технологии карбида кремния на кремнии.   

«Разработанная в результате выполнения данного проекта технология позволит создать первое в России высокотехнологическое опытное производство слоев 3С-SiC на кремниевых подложках. Специальные подложки карбида кремния на кремнии могут стать основой для формирования целого класса широкозонных полупроводников на кремнии, основными из которых являются нитриды галлия и алюминия. В случае дальнейшего развития данной технологии и создания на ее основе опытно-промышленного производства возможно существенно развить одну из высокотехнологических областей микроэлектроники – производство гетероструктур нитрида галлия (GaN) для силовой и СВЧ электроники, в которой Россия могла бы занять лидирующее положение», - сказал Сергей Кукушкин.

Ученые ИПМаш РАН являются специалистами в создании материалов для микроэлектроники. Работа проводится на базе ранее созданном в ИПМаш РАН принципиально новом методе выращивания монокристаллического карбида кремния на кремнии. Метод основан на согласованном замещении части атомов в кремнии на атомы углерода без разрушения кремниевой основы. Впервые в мировой практике реализована последовательная согласованная замена атомов одного сорта другими атомами прямо внутри исходного кристалла без разрушения его кристаллической структуры. Качество структуры слоев, полученных данным методом, значительно превосходит качество пленок, выращенных на кремниевых подложках ведущими мировыми компаниями.

Этот материал опубликован пользователем сайта через форму добавления новостей.
Ответственность за содержание материала несет автор публикации. Точка зрения автора может не совпадать с позицией редакции.
Ria.city

Читайте также

Блоги |

40% псковичей рассчитывают на годовые премии – опрос

Блоги |

Ветеран и бойцы СОБР Росгвардии провели урок мужества для студентов Кировского многопрофильного техникума

Блоги |

Режиссер Тимур Кулов поделился деталями создания спектакля «Приключения Рустема»

Новости России

Жителей Подольска отметили областными наградами Уполномоченного по правам человека

Аграриев поддержат сельской ипотекой

Минтранс Подмосковья: схема движения на Каширском шоссе изменится с 17 декабря

Актеры лобненского театра выступили на сцене Дома актера в Москве

Moscow.media

News24.pro и Life24.pro — таблоиды популярных новостей за 24 часа, сформированных по темам с ежеминутным обновлением. Все самостоятельные публикации на наших ресурсах бесплатны для авторов Ньюс24.про и Ньюс-Лайф.ру.

Разместить свою новость локально в любом городе по любой тематике (и даже, на любом языке мира) можно ежесекундно с мгновенной публикацией самостоятельно — здесь.

Персональные новости

Музыкальные новости
Джиган

«Он должен понимать, что судьба бьет больно». Джиган рассказал о жестких методах воспитания сына в эфире «Шоу Воли» на ТНТ

Авто в России и мире

Диетолог Писарева: оптимальное время для ужина — с 18 до 19 часов

Госдума запретила брать в школы детей мигрантов без знания русского языка

Германия поможет Зеленскому окончательно поругаться с Трампом

EUROSVET – 26 лет разрабатываем и производим красивый свет, вдохновляющий каждой деталью

Экология в России и мире

Спорт в России и мире

Новости тенниса
WTA

WTA назвала белоруску Соболенко лучшей теннисисткой года


Bigg Boss 18: Gauahar Khan praises Vivian Dsena’s game in the show; says, “Love how straightforward and honest he is”

Unstoppable Joe! Has Root mania put Tendulkar's records under threat?

Australian sprinter Gout, 16, betters Bolt to break record

Shark Tank India 4: Viraj Bahl on joining the panel; says 'I am excited to collaborate with the next generation of entrepreneurs'